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产品描述
主要优势
工艺过程低应力
低耗材成本COC和运营成本COO
低排放可保护环境
特性和规格
整合了无应力抛光、化学机械研磨、湿法刻蚀、干法刻蚀工艺
电抛光液和湿法刻蚀液可实时循环使用
减少化学和耗材使用量
设备尺寸(mm):4100(长)*2600(宽)*2650(高)
关键应用
序号 | 应用 | 描述 | 使用化学 |
1 | 双大马士革工艺超低K铜互连 | CMP+SFP+Clean+TFE | Slurry,Electrolyte,DHF,Xef2 |
2 | 双大马士革工艺5nm及以下钌阻挡层互连结构 | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Slurry,Electrolyte,Etchant |
3 | 晶圆级封装 (3D硅通孔,2.5D转接板,再布线,扇出) | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Electrolyte,Slurry,Etchant |